اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت نانوسیال (سه بعدی)، شبیه سازی با انسیس فلوئنت
۱,۰۰۲,۰۰۰ تومان تخفیف دانشجویی
- در این پروژه، به شبیه سازی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت نانوسیال با استفاده از نرم افزار انسیس فلوئنت (ANSYS Fluent) پرداخته ایم.
- هندسه این پروژه را با نرم افزار ANSYS Design Modeler ترسیم کرده ایم
- مش بندی این پروژه را با نرم افزار ANSYS Meshing انجام داده ایم.
- نوع مش بدون ساختار بوده و تعداد سلول های محاسباتی 26000 سلول می باشد.
- مدل MHD برای شبیه سازی اثر میدان مغناطیسی فعال شده است.
بر روی افزودن به سبد خرید کلید کرده و فایل های هندسه، مش و فیلم آموزشی جامع را دریافت کنید.
برای سفارش پروژه خود و یا بهره مندی از مشاوره رایگان، با کارشناسان ما از طریق ایمیل ([email protected])، پشتیبانی آنلاین و یا واتس اپ (09126238673) در ارتباط باشید.
برای کنترل کیفیت خدمات ما میتوانید از محصولات رایگان استفاده کنید.
توضیحات
شرح پروژه اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت نانوسیال
در این پروژه، به شبیه سازی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت نانوسیال با استفاده از نرم افزار انسیس فلوئنت (ANSYS Fluent) پرداخته ایم. جریان نانوسیال در یک کانال آلمینومی جامد در حضور میدان مغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته است. جریان سیال ثابت است و به صورت جریان تک فاز شبیه سازی می شود اما نحوه محاسبه خواص ترموفیزیکی نانوسیال با استفاده از فرمول در این اموزش توضیح داده شده است.
هندسه این پروژه با نرم افزارANSYS Design Modeler طراحی شده و شبکه محاسباتی با استفاده از Ansys Meshing تولید شده است. نوع مش بدون ساختار و تعداد سلول های محاسباتی 26000 سلول می باشد.
روش های استفاده شده
نتایج شبیه سازی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت نانوسیال
میانگین دمای جریان نانوسیال در محل ورودی و خروجی به ترتیب 293.2 و 304.175K است. در صورت عدم تأثیر میدان مغناطیسی بر نانوسیال، دما در خروجی به 303.74K کاهش می یابد. شار حرارتی به نانوسیال برابر با 112102.2 w/m2 است.
مقایسه دمای خروجی نانوسیال در حضور و عدم حضور میدان مغناطیسی، اثربخشی کاربرد میدان مغناطیسی را در کار حاضر نشان می‌دهد. کاربرد میدان مغناطیسی دمای خروجی را 1K و انتقال حرارت به نانوسیال را 200w/m2 افزایش می دهد.
تماس با واتس آپ
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.